技术细节

• 包装/箱 TO-247-3 Variant
• 安装类型 Through Hole
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 P-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 30mOhm @ 60A, 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 250µA
• 供应商设备包 PLUS247™-3
• 漏源电压 (Vdss) 200 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 740 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 73000 pF @ 25 V