技术细节

• 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 P-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.95A (Ta)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
• Vgs(th)（最大值）@Id 1.25V @ 250µA
• 供应商设备包 8-SOIC
• 年级 Automotive
• 漏源电压 (Vdss) 20 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 35 nC @ 4.5 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1900 pF @ 16 V
• 资质 AEC-Q101