技术细节

• 包装/箱 4-DIP (0.157", 4.00mm)
• 输出类型 Phototransistor
• 感应距离 0.039" (1mm)
• 传感方式 Reflective
• 安装类型 Through Hole
• 响应时间 20µs, 20µs
• 集电极电流 (Ic)（最大） 50 mA
• 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 30 V
• 电流 - 直流正向 (If)（最大） 50 mA