库存:3871

技术细节

  • 包装/箱 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 4.1A (Ta)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 42mOhm @ 5.7A, 10V
  • 功耗(最大) 1.3W (Ta)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 3V @ 250µA
  • 供应商设备包 8-SOIC
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 30 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 24 nC @ 10 V

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