技术细节

• 包装/箱 8-VQFN Exposed Pad
• 安装类型 Surface Mount
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 21A (Ta), 40A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 3.8mOhm @ 20A, 10V
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.35V @ 50µA
• 供应商设备包 PQFN (3x3)
• 漏源电压 (Vdss) 30 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 31 nC @ 10 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2155 pF @ 25 V