- 产品型号 SI7850DP-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 60V 6.2A PPAK SO-8
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® SO-8
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 22mOhm @ 10.3A, 10V
- 功耗（最大） 1.8W (Ta)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 27 nC @ 10 V
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