技术细节

• 包装/箱 Slotted Module, 4-Lead Dual Row
• 感应距离 3.1mm
• 传感方式 Through-Beam
• 安装类型 Through Hole
• 工作温度 -55°C ~ 85°C
• 输出配置 Phototransistor
• 响应时间 10µs, 8µs
• 集电极电流 (Ic)（最大） 500 µA
• 电压 - 集电极发射极击穿（最大） 70 V
• 电流 - 直流正向 (If)（最大） 60 mA