库存:2241

技术细节

  • 包装/箱 TO-220-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 88A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 11mOhm @ 88A, 10V
  • 功耗(最大) 300W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 270µA
  • 供应商设备包 PG-TO220-3
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 87 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 7100 pF @ 100 V

相关产品


DIODE GEN PURP 75V 150MA SOD123

库存: 142365

IC MCU 8BIT 8KB FLASH 20SOIC

库存: 12005

MOSFET N-CH 200V 84A TO220-3

库存: 855

MOSFET N-CH 300V 44A TO220-3

库存: 463

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

库存: 1772

MOSFET N-CH 200V 18A TO220AB

库存: 61503

MOSFET N-CH 200V 62A D2PAK

库存: 2753

Top