- 产品型号 IRFH5020TRPBF
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 200V 5.1A 8PQFN
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5.1A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 55mOhm @ 7.5A, 10V
- 功耗（最大） 3.6W (Ta), 8.3W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 5V @ 150µA
- 供应商设备包 8-PQFN (5x6)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 54 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2290 pF @ 100 V
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