- 产品型号 IPP60R190C6XKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 20.2A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 190mOhm @ 9.5A, 10V
- 功耗（最大） 151W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3.5V @ 630µA
- 供应商设备包 PG-TO220-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 63 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1400 pF @ 100 V
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