- 产品型号 BY25Q128ESSIG(T)
- 品牌 BYTe Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 128 MBIT, 3.0V (2.7V TO 3.6V), -
- 分类 记忆
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库存:11000
定价:
- 1 1.43
- 10 1.28
- 95 1
- 285 0.93
- 570 0.82
- 1045 0.65
- 2565 0.61
- 5035 0.58
技术细节
- 包装/箱 8-SOIC (0.209", 5.30mm Width)
- 安装类型 Surface Mount
- 内存大小 128Mbit
- 内存类型 Non-Volatile
- 工作温度 -40°C ~ 85°C (TA)
- 电压 - 电源 2.7V ~ 3.6V
- 技术 FLASH - NOR (SLC)
- 时钟频率 120 MHz
- 内存格式 FLASH
- 供应商设备包 8-SOP
- 写入周期时间 - 字、页 60µs, 2.4ms
- 内存接口 SPI - Quad I/O
- 存取时间 7.5 ns
- 记忆组织 16M x 8
