- 产品型号 GAN039-650NBBHP
- 品牌 Nexperia
- RoHS 1
- 描述 650 V, 33 MOHM GALLIUM NITRIDE (
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1500
技术细节
- 包装/箱 12-BESOP (0.370", 9.40mm Width), Exposed Pad
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 39mOhm @ 32A, 10V
- 功耗(最大) 300W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.8V @ 1mA
- 供应商设备包 CCPAK1212
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 30 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1500 pF @ 400 V