技术细节

• 包装/箱 22-PowerBSOP Module
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 98A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 22mOhm @ 41.5A, 18V
• 功耗（最大） 384W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 5.6V @ 14.9mA
• 供应商设备包 PG-HDSOP-22
• 年级 Automotive
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 0V, 18V
• Vgs（最大） +23V, -5V
• 漏源电压 (Vdss) 750 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 80 nC @ 18 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2869 pF @ 500 V
• 资质 AEC-Q101