技术细节

• 包装/箱 TO-261-3
• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 150°C (TJ)
• 技术 MOSFET (Metal Oxide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 100mA
• Rds On（最大）@Id、Vgs 45Ohm @ 100mA, 0V
• 场效应管特性 Depletion Mode
• 功耗（最大） 2.25W (Ta)
• Vgs(th)（最大值）@Id 3.1V @ 1µA
• 供应商设备包 SOT-223-2L
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 0V
• Vgs（最大） ±15V
• 漏源电压 (Vdss) 800 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 105 pF @ 25 V