- 产品型号 IPD30N10S3L34ATMA1
 - 品牌 IR (Infineon Technologies)
 - RoHS Yes
 - 描述 MOSFET N-CH 100V 30A TO252-3
 - 分类 单 FET、MOSFET
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                                 库存:37024
                                
                            
                            
                                 定价:
                            
                            - 2500 0.57
 - 5000 0.54
 - 12500 0.52
 
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
 - 安装类型 Surface Mount
 - 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
 - 技术 MOSFET (Metal Oxide)
 - 场效应管类型 N-Channel
 - 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
 - Rds On(最大)@Id、Vgs 31mOhm @ 30A, 10V
 - 功耗(最大) 57W (Tc)
 - Vgs(th)(最大值)@Id 2.4V @ 29µA
 - 供应商设备包 PG-TO252-3-11
 - 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
 - Vgs(最大) ±20V
 - 漏源电压 (Vdss) 100 V
 - 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 31 nC @ 10 V
 - 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1976 pF @ 25 V