库存:1795

技术细节

  • 包装/箱 TO-220-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 P-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 44A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 65mOhm @ 500mA, 10V
  • 功耗(最大) 298W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
  • 供应商设备包 TO-220-3
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
  • Vgs(最大) ±15V
  • 漏源电压 (Vdss) 150 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 175 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 13400 pF @ 25 V

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