- 产品型号 GT110N06D3
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 0
- 描述 MOSFET N-CH 60V 35A DFN3*3-8L
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:21500
技术细节
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 35A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 11mOhm @ 14A, 10V
- 功耗(最大) 25W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.4V @ 250µA
- 供应商设备包 8-DFN (3.15x3.05)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
- Vgs(最大) ±20V