库存:1900

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-4
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 175°C (TJ)
  • 技术 SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 功耗(最大) 115W
  • 供应商设备包 TO-247-4L
  • 漏源电压 (Vdss) 1200 V

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