- 产品型号 R6086YNZ4C13
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 NCH 600V 86A, TO-247, POWER MOSF
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2068
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 86A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 44mOhm @ 17A, 12V
- 功耗(最大) 781W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 6V @ 4.6mA
- 供应商设备包 TO-247G
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V, 12V
- Vgs(最大) ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 110 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 5100 pF @ 100 V