- 产品型号 G170P02D2
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 P-20V,-16A,RD(MAX)<17M@-4.5V,VTH
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:4470
技术细节
- 包装/箱 6-UDFN Exposed Pad
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 16A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 17mOhm @ 6A, 4.5V
- 功耗(最大) 18W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 1V @ 250µA
- 供应商设备包 6-DFN (2x2)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 2.5V, 4.5V
- Vgs(最大) ±8V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 30 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2179 pF @ 10 V