- 产品型号 G12P10TE
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 P-100V,-12A,RD(MAX)<200M@-10V,VT
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 200mOhm @ 6A, 10V
- 功耗（最大） 40W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 3V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-220
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 25 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 760 pF @ 25 V
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