- 产品型号 IPF010N04NF2SATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 TRENCH <= 40V
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2581
技术细节
- 包装/箱 TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 46A (Ta), 289A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 1mOhm @ 100A, 10V
- 功耗(最大) 3.8W (Ta), 250W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 3.4V @ 189µA
- 供应商设备包 PG-TO263-7-U02
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 239 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 11300 pF @ 20 V