技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 8.2A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 11mOhm @ 11A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 2.5mA
- 供应商设备包 Die
- Vgs（最大） +6V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 80 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 4.3 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 576 pF @ 50 V
相关产品
GANFET N-CH 200V 5A DIE OUTLINE
库存: 15879
TRANS GAN BUMPED DIE
库存: 12647
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
库存: 18274
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
库存: 24040
TRANS GAN 100V DIE 5.6MOHM
库存: 2698
TRANS GAN 80V .006OHM AECQ101
库存: 25981
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
库存: 8818
TRANS GAN 80V .0032OHM AECQ101
库存: 23295
TRANS GAN 100V DIE .0018OHM
库存: 49640
