- 产品型号 IPD130N10NF2SATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 MOSFET
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:3477
定价:
- 1 1.15
- 10 0.94
- 100 0.73
- 500 0.62
- 1000 0.51
- 2000 0.48
- 6000 0.45
- 10000 0.43
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 13mOhm @ 30A, 10V
- 功耗(最大) 3W (Ta), 71W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 3.8V @ 30µA
- 供应商设备包 PG-TO252-3
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 28 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1300 pF @ 50 V