- 产品型号 G170P03D3
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 P-30V, -20A,RD<18M@-10V,VTH-1V~-
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:6500
定价:
- 5000 0.14
- 10000 0.13
- 25000 0.13
- 50000 0.13
技术细节
- 包装/箱 8-PowerVDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 15mOhm @ 5A, 10V
- 功耗（最大） 15W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 250µA
- 供应商设备包 8-DFN (3.15x3.05)
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 30 V
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