- 产品型号 IMT65R083M1HXUMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 SILICON CARBIDE MOSFET
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerSFN
- 安装类型 Surface Mount
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 供应商设备包 PG-HSOF-8-1
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
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