- 产品型号 AIMBG120R080M1XTMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS Yes
- 描述 SIC_DISCRETE
- 分类 单 FET、MOSFET
- 1000 6.78
技术细节
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 30A
- 供应商设备包 PG-TO263-7-12
- 漏源电压 (Vdss) 1200 V
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