库存:1515

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-4
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 65A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 34mOhm @ 50A, 20V
  • 功耗(最大) 370W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 15mA
  • 供应商设备包 TO-247-4
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 20V
  • Vgs(最大) +25V, -10V
  • 漏源电压 (Vdss) 1200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 195 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 4200 pF @ 1000 V

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