- 产品型号 RS6R060BHTB1
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 0
- 描述 NCH 150V 60A, HSOP8, POWER MOSFE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 60A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 21.8mOhm @ 60A, 10V
- 功耗（最大） 104W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4V @ 1mA
- 供应商设备包 8-HSOP
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 6V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 150 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 46 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 2750 pF @ 75 V
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