- 产品型号 630AT
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 N200V,RD(MAX)<250M@10V,RD(MAX)<3
- 分类 单 FET、MOSFET
-
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库存:1587
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 9A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 250mOhm @ 1A, 10V
- 功耗（最大） 83W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.2V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-220
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 200 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 11.8 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 509 pF @ 25 V
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