库存:6495

技术细节

  • 包装/箱 PowerPAK® SO-8
  • 安装类型 Surface Mount
  • 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3.2A (Ta)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 80mOhm @ 4A, 10V
  • 功耗(最大) 1.9W (Ta)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4.5V @ 250µA
  • 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
  • Vgs(最大) ±20V
  • 漏源电压 (Vdss) 200 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 42 nC @ 10 V

相关产品


DIODE SCHOTTKY 30V 200MA SOD123

库存: 15111

MOSFET N-CH 40V 100A LFPAK56

库存: 7074

IC REG BUCK ADJ 4A 8SOPWR

库存: 7235

DIODE GEN PURP 200V 2A SOD123FL

库存: 17753

DIODE SCHOTTKY 100V 3A POWERDI5

库存: 86202

DIODE SBR 60V 8A POWERDI5

库存: 17468

MOSFET N-CH 250V 4.3A/14.4A PPAK

库存: 0

DIODE SIL CARBIDE 1.2KV 2A DPAK

库存: 0

MOSFET N-CH 200V 19A TO252

库存: 1898

THERMISTOR PTC 1K OHM 1% 1206

库存: 9241

Top