技术细节

• 包装/箱 Module
• 安装类型 Chassis Mount
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 79A
• Rds On（最大）@Id、Vgs 31mOhm @ 40A, 20V
• 功耗（最大） 310W
• Vgs(th)（最大值）@Id 2.8V @ 1mA
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
• Vgs（最大） +25V, -10V
• 漏源电压 (Vdss) 1200 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 232 nC @ 20 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 3020 pF @ 1000 V