- 产品型号 G2312
- 品牌 Goford Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 N20V,RD(MAX)<18M@10V,RD(MAX)<20M
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:2637
技术细节
- 包装/箱 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 5A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 18mOhm @ 4.2A, 10V
- 功耗（最大） 1.25W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 1V @ 250µA
- 供应商设备包 SOT-23
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 4.5V, 10V
- Vgs（最大） ±12V
- 漏源电压 (Vdss) 20 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 11 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 780 pF @ 10 V
相关产品
N200V,RD(MAX)<650M@10V,VTH1V~3V,
库存: 1907
MOSFET N-CH 200V 5A TO-252
库存: 100000
MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT23 T&R 3
库存: 6000
N30V,RD(MAX)<22M@10V,RD(MAX)<35M
库存: 14997
MOSFET N-CH 30V 5.6A SOT-23
库存: 60000
N-CHANNEL MOSFET, SOT23-6L
库存: 5664
