技术细节

• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 450mOhm @ 5A, 20V
• 功耗（最大） 71W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 3.14V @ 250µA
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 20V
• Vgs（最大） +23V, -10V
• 漏源电压 (Vdss) 1200 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 21 nC @ 20 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 255 pF @ 1000 V