- 产品型号 R8003KND3TL1
- 品牌 ROHM Semiconductor
- RoHS 1
- 描述 HIGH-SPEED SWITCHING NCH 800V 3A
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:2418
技术细节
- 包装/箱 TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 3A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 1.8Ohm @ 1.5A, 10V
- 功耗(最大) 45W (Ta)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.5V @ 2mA
- 供应商设备包 TO-252
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 800 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 11.5 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 300 pF @ 100 V