技术细节
- 包装/箱 Die
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -40°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 GaNFET (Gallium Nitride)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 1.7A (Ta)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 23mOhm @ 3A, 5V
- Vgs(th)（最大值）@Id 2.5V @ 1.5mA
- 供应商设备包 Die
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 5V
- Vgs（最大） +6V, -4V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 2.5 nC @ 5 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 386 pF @ 50 V
相关产品
GANFET N-CH 100V 36A DIE OUTLINE
库存: 115676
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
库存: 24334
TRANS GAN BUMPED DIE
库存: 12647
GANFET N-CH 100V 1.7A DIE
库存: 34936
GANFET N-CH 100V 8.2A DIE
库存: 94617
TRANS GAN 200V DIE 43MOHM
库存: 18274
TRANS GAN 100V .0022OHM 21BMPD
库存: 8705
GANFET N-CH 80V 1.7A DIE
库存: 24040
GAN TRANS 200V 8MOHM BUMPED DIE
库存: 8818
GANFET N-CH 15V 3.4A DIE
库存: 38612
TRANS GAN 200V .005OHM 3X5PQFN
库存: 38115
