库存:1500

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 技术 MOSFET (Metal Oxide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 11A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 1Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 1mA
  • 供应商设备包 TO-247 [B]
  • 漏源电压 (Vdss) 1000 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 225 nC @ 10 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 3660 pF @ 25 V

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