- 产品型号 STH30N65DM6-7AG
- 品牌 STMicroelectronics
- RoHS 1
- 描述 AUTOMOTIVE-GRADE N-CHANNEL 650 V
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:1735
技术细节
- 包装/箱 TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 28A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 115mOhm @ 10A, 10V
- 功耗(最大) 223W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4.75V @ 250µA
- 供应商设备包 H2PAK-7
- 年级 Automotive
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±25V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 46 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 2000 pF @ 100 V
- 资质 AEC-Q101