- 产品型号 IPP129N10NF2SAKMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 TRENCH >=100V
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:2501
技术细节
- 包装/箱 TO-220-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 12A (Ta), 52A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 12.9mOhm @ 30A, 10V
- 功耗(最大) 3.8W (Ta), 71W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 3.8V @ 30µA
- 供应商设备包 PG-TO220-3
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 6V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 100 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 28 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1300 pF @ 50 V