技术细节

• 安装类型 Surface Mount
• 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
• 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
• 场效应管类型 N-Channel
• 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 36A (Tc)
• Rds On（最大）@Id、Vgs 100mOhm @ 20A, 18V
• 功耗（最大） 238W (Tc)
• Vgs(th)（最大值）@Id 4.9V @ 1mA
• 供应商设备包 H2PAK-7
• 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 18V
• Vgs（最大） +22V, -10V
• 漏源电压 (Vdss) 1200 V
• 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 61 nC @ 18 V
• 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1233 pF @ 800 V