库存:2967

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 1Ohm @ 2A, 20V
  • 功耗(最大) 60W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 1mA
  • 供应商设备包 TO-247AD
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 20V
  • Vgs(最大) +22V, -6V
  • 漏源电压 (Vdss) 1700 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 13 nC @ 20 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 200 pF @ 1000 V

相关产品


SICFET N-CH 1700V 72A TO247-3

库存: 450

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

库存: 3172

SIC MOSFET N-CH 4A TO247-3

库存: 8703

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

库存: 8523

SIC MOSFET N-CH 9A TO247-3

库存: 1528

SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

库存: 521

SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-3

库存: 1363

SICFET N-CH 1200V 22A TO247-3

库存: 1432

MOSFET SIC 1700 V 45 MOHM TO-247

库存: 34

MOSFET SIC 1700V 35 MOHM TO-247-

库存: 246

SICFET N-CH 1700V 7A TO247-3

库存: 232

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

库存: 576

Top