- 产品型号 WNSC2D06650TJ
- 品牌 WeEn Semiconductors Co., Ltd
- RoHS 1
- 描述 DIODE SIL CARBIDE 650V 6A 5DFN
- 分类 单二极管
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库存:3474
技术细节
- 包装/箱 4-VSFN Exposed Pad
- 安装类型 Surface Mount
- 速度 No Recovery Time > 500mA (Io)
- 反向恢复时间 (trr) 0 ns
- 技术 SiC (Silicon Carbide) Schottky
- 电容@Vr, F 198pF @ 1V, 1MHz
- 电流 - 平均整流 (Io) 6A
- 供应商设备包 5-DFN (8x8)
- 工作温度 - 结 175°C
- 电压 - 直流反向 (Vr)(最大) 650 V
- 电压 - 正向 (Vf)(最大)@ If 1.7 V @ 6 A
- 电流 - 反向漏电流@Vr 30 µA @ 650 V