- 产品型号 SIR186LDP-T1-RE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 1
- 描述 N-CHANNEL 60-V (D-S) MOSFET POWE
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:12642
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® SO-8
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 23.8A (Ta), 80.3A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 4.4mOhm @ 15A, 10V
- 功耗(最大) 5W (Ta), 57W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.5V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
- Vgs(最大) ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 60 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 48 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1980 pF @ 30 V