库存:1961
定价:
  • 1 9.42
  • 10 8.51
  • 30 8.12
  • 120 7.05
  • 270 6.73
  • 510 6.14
  • 1020 5.34

技术细节

  • 包装/箱 TO-247-3
  • 安装类型 Through Hole
  • 工作温度 -40°C ~ 175°C (TJ)
  • 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
  • 场效应管类型 N-Channel
  • 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 22A (Tc)
  • Rds On(最大)@Id、Vgs 157mOhm @ 6.76A, 15V
  • 功耗(最大) 98W (Tc)
  • Vgs(th)(最大值)@Id 3.6V @ 1.86mA
  • 供应商设备包 TO-247-3
  • 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 15V
  • Vgs(最大) +19V, -8V
  • 漏源电压 (Vdss) 650 V
  • 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 28 nC @ 15 V
  • 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 640 pF @ 400 V

相关产品


SICFET N-CH 1200V 30A TO247-4L

库存: 1087

650V 120M SIC MOSFET

库存: 597

SICFET N-CH 900V 23A TO247-3

库存: 6822

SICFET N-CH 1200V 7.6A TO247-3

库存: 3172

SIC MOSFET N-CH 11A TO247-3

库存: 8523

SIC MOS TO247-3L 650V

库存: 285

SICFET N-CH 1200V 17A TO247-3

库存: 335

P-CHANNEL 40-V (D-S) MOSFET

库存: 7588

MOSFET N-CH 200V 100A TO247AC

库存: 0

Top