- 产品型号 IAUC120N04S6L005ATMA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 IAUC120N04S6L005ATMA1
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
库存:5649
技术细节
- 包装/箱 8-PowerTDFN
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 120A (Tj)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 0.55mOhm @ 60A, 10V
- 功耗(最大) 187W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2V @ 130µA
- 供应商设备包 PG-TDSON-8-53
- 年级 Automotive
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 4.5V, 10V
- Vgs(最大) ±16V
- 漏源电压 (Vdss) 40 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 177 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 11203 pF @ 25 V
- 资质 AEC-Q101