- 产品型号 SIRA20BDP-T1-GE3
- 品牌 Vishay / Siliconix
- RoHS 0
- 描述 MOSFET N-CH 25V 82A/335A PPAK
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:9917
技术细节
- 包装/箱 PowerPAK® SO-8
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 82A (Ta), 335A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 0.58mOhm @ 20A, 10V
- 功耗(最大) 6.3W (Ta), 104W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 2.1V @ 250µA
- 供应商设备包 PowerPAK® SO-8
- Vgs(最大) +16V, -12V
- 漏源电压 (Vdss) 25 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 186 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 9950 pF @ 15 V