技术细节
- 包装/箱 TO-247-4
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 175°C (TJ)
- 技术 SiCFET (Silicon Carbide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 46A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 84mOhm @ 20A, 15V
- 功耗（最大） 221W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.3V @ 5mA
- 供应商设备包 TO-247-4L
- 年级 Automotive
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 15V, 18V
- Vgs（最大） +22V, -8V
- 漏源电压 (Vdss) 900 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 87 nC @ 15 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 1770 pF @ 450 V
- 资质 AEC-Q101
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