- 产品型号 PMCM6501VPEZ
- 品牌 NXP Semiconductors
- RoHS 0
- 描述 SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:7775386
技术细节
- 包装/箱 6-XFBGA, WLCSP
- 安装类型 Surface Mount
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 P-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 6.2A (Ta)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 25mOhm @ 3A, 4.5V
- 功耗(最大) 556mW (Ta), 12.5W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 900mV @ 250µA
- 供应商设备包 6-WLCSP (1.48x0.98)
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 1.8V, 4.5V
- Vgs(最大) ±8V
- 漏源电压 (Vdss) 12 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 29.4 nC @ 4.5 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 1400 pF @ 6 V