- 产品型号 FCH25N60N
- 品牌 Fairchild Semiconductor
- RoHS 0
- 描述 POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 2
- 分类 单 FET、MOSFET
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库存:8288
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 25A (Tc)
- Rds On(最大)@Id、Vgs 126mOhm @ 12.5A, 10V
- 功耗(最大) 216W (Tc)
- Vgs(th)(最大值)@Id 4V @ 250µA
- 供应商设备包 TO-247
- 驱动电压(最大导通电阻、最小导通电阻) 10V
- Vgs(最大) ±30V
- 漏源电压 (Vdss) 600 V
- 栅极电荷 (Qg)(最大值)@Vgs 74 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)(最大值)@Vds 3352 pF @ 100 V