- 产品型号 IPW65R041CFD7XKSA1
- 品牌 IR (Infineon Technologies)
- RoHS 1
- 描述 650V FET COOLMOS TO247
- 分类 单 FET、MOSFET
-
PDF
技术细节
- 包装/箱 TO-247-3
- 安装类型 Through Hole
- 工作温度 -55°C ~ 150°C (TJ)
- 技术 MOSFET (Metal Oxide)
- 场效应管类型 N-Channel
- 电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C 50A (Tc)
- Rds On（最大）@Id、Vgs 41mOhm @ 24.8A, 10V
- 功耗（最大） 227W (Tc)
- Vgs(th)（最大值）@Id 4.5V @ 1.24mA
- 供应商设备包 PG-TO247-3
- 驱动电压（最大导通电阻、最小导通电阻） 10V
- Vgs（最大） ±20V
- 漏源电压 (Vdss) 650 V
- 栅极电荷 (Qg)（最大值）@Vgs 102 nC @ 10 V
- 输入电容 (Ciss)（最大值）@Vds 4975 pF @ 400 V
相关产品
MOSFET N-CH 100V 150A TO220-3
库存: 855
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 351
MOSFET 650V NCH SIC TRENCH
库存: 460
MOSFET N-CH 60V 300A 8HSOF
库存: 8967
MOSFET N-CH 650V 77A TO247-3-41
库存: 259
MOSFET N-CH 600V 50A TO247-3
库存: 0
MOSFET N-CH 650V 61A TO247-3-41
库存: 920
MOSFET N-CH 600V 48A TO247-3
库存: 284
MOSFET N-CH 600V 31A TO247-3
库存: 70
MOSFET N-CH 650V 83.2A TO247-3
库存: 51
MOSFET N-CH 650V 68.5A TO247-3
库存: 0
MOSFET N-CH 650V 43.3A TO247-3
库存: 493
MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
库存: 19671
